半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福井豊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-167870
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335756
出願日： 2006年06月16日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】高耐圧トランジスタと低電圧駆動トランジスタとが同一の半導体基板に形成された半導体装置において、素子パターンの微細化が進行した場合であっても耐圧低下を生じることなく安定して製造することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上にゲート酸化膜3、4を介して導電膜5と絶縁膜6とが順次形成される。レジストパターン7をマスクとして絶縁膜6および導電膜5が順次エッチングされ、パターニングされた絶縁膜8および高耐圧トランジスタのゲート電極9の積層体が形成される。その積層体をマスクとして半導体基板1と逆導電型の不純物が注入される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層の表面部に高耐圧トランジスタと低電圧駆動トランジスタとを備える半導体装置の製造方法において、半導体層上の高耐圧トランジスタ形成領域に、第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、半導体層上の低電圧駆動トランジスタ形成領域に、前記第1のゲート絶縁膜と異なる膜厚を有する第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第1および第2のゲート絶縁膜が形成された半導体層上の全面に導電膜を形成する工程と、前記導電膜上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、高耐圧トランジスタのゲート電極形成領域および前記低電圧駆動トランジスタ形成領域を被覆する第1のマスクパターンを形成する工程と、前記第1のマスクパターンをエッチングマスクとして前記第1の絶縁膜および前記導電膜のエッチングを行い、前記第1のゲート絶縁膜上に、前記導電膜のパターンからなる高耐圧トランジスタのゲート電極と当該ゲート電極を被覆する第1の絶縁膜のパターンとの積層体を形成する工程と、前記積層体をマスクとして高耐圧トランジスタ形成領域の半導体層に第2導電型の第1の低濃度不純物領域を形成する工程と、前記半導体層上の全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜および前記第1の絶縁膜に対して異方性エッチングを行い、前記高耐圧トランジスタのゲート電極の側面に前記第2の絶縁膜からなる第1のサイドウォールスペーサを形成するとともに、前記高耐圧トランジスタのゲート電極および低電圧駆動トランジスタ形成領域の前記導電膜を露出させる工程と、露出した前記導電膜の低電圧駆動トランジスタのゲート電極形成領域、および前記高耐圧トランジスタ形成領域を被覆する第2のマスクパターンを形成する工程と、前記第2のマスクパターンをエッチングマスクとして前記導電膜のエッチングを行い、前記第2のゲート絶縁膜上に、低電圧駆動トランジスタのゲート電極を形成する工程と、前記低電圧駆動トランジスタのゲート電極をマスクとして低電圧駆動トランジスタ形成領域の半導体層に第2導電型の第2の低濃度不純物領域を形成する工程と、半導体層上の全面に第3の絶縁膜を形成する工程と、前記第3の絶縁膜に対して異方性エッチングを行い、前記高耐圧トランジスタのゲート電極の側面および低電圧駆動トランジスタのゲート電極の側面に第2のサイドウォールスペーサを形成する工程と、前記第1サイドウォールスペーサ、第2のサイドウォールスペーサ、高耐圧トランジスタのゲート電極、および低電圧駆動トランジスタのゲート電極をマスクとして、高耐圧トランジスタ形成領域の半導体層、および低電圧駆動トランジスタ形成領域の半導体層に第2導電型の高濃度不純物領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L27/08 102B , H01L29/78 301S

Fターム (46件)：

5F048AA05 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA19 , 5F048BB03 , 5F048BB05 , 5F048BB16 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BC19 , 5F048BD10 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA30 , 5F140AA25 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140BA01 , 5F140BD05 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG19 , 5F140BG20 , 5F140BG22 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG58 , 5F140BH07 , 5F140BH15 , 5F140BH17 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK02 , 5F140BK14 , 5F140BK21 , 5F140CB01 , 5F140CB04

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-124221 出願人：松下電器産業株式会社

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