特許

J-GLOBAL ID：200903008488470406

化合物半導体気相成長装置

発明者： 渡辺 温 ,  天野 浩 ,  平松 和政 ,  赤▲崎▼ 勇
出願人/特許権者： パイオニア株式会社 ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
代理人 (1件)： 石川 泰男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216030
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 例えば、NH3 とTMG、TMA等の原料ガスを用いる系において、結晶基板上に成膜する組成の均一性に優れ、しかも再現性にも優れる化合物半導体気相成長装置を提供する。【構成】 複数のフローチャネルの断面形状は、略四角形状をなし、近接するフローチャネルは基板近傍の直前で、2種以上の原料ガスによる積層流が形成できるような連通孔により連結されるように構成した。

請求項（抜粋）：

結晶基板を収納する筒状の反応容器と、該反応容器に連通され、結晶基板上に堆積する化合物の元素を含む複数の原料ガスを、それぞれ独立に結晶基板近傍まで導く複数のフローチャネルとを有し、前記複数のフローチャネルの断面形状は、略四角形状をなし、近接するフローチャネルは基板近傍の直前で、2種以上の原料ガスによる積層流が形成できるような連通孔により連結されていることを特徴とする化合物半導体気相成長装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光励起気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006811   出願人：シャープ株式会社
• 特開平1-270880
  
• 特公昭52-041693
  
• 特開昭63-147480