強誘電体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317262
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139472
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】記憶保持特性の改善された強誘電体メモリのメモリセル構造の提供。【解決手段】電界効果トランジスタのゲート16に直列接続された強誘電体容量15をもつ強誘電体メモリにおいて、ゲート16を構成するゲート絶縁膜と並列に常誘電体容量18を備える。常誘電体容量18はスイッチング素子35を介して強誘電体容量15の下部側の電極と接続され、常誘電体容量のもう一方の電極は半導体基板21と接続され、常誘電体容量18は電界効果トランジスタのゲート絶縁膜としては用いられず、常誘電体材料として、シリコン酸化膜、窒化膜より比誘電率の大きい材料を用いることが可能となる。スイッチング素子35を接続することで、データ読み出し速度を改善でき、1つの常誘電体容量18を複数のメモリセルで共用するように構成した場合常誘電体容量18の占める面積を小さく抑える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された電界効果トランジスタのゲートに電極の一方が接続された強誘電体容量と、前記電界効果トランジスタの基板に、電極の一方が接続された常誘電体容量と、を含み、前記常誘電体容量の、前記電界効果トランジスタの基板に接続されていない側の電極が、前記電界効果トランジスタのゲートに接続され、前記常誘電体容量が、前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜容量と並列に接続されたことを特徴とする強誘電体メモリ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

強誘電体記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-335336 出願人：シャープ株式会社

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