特許

J-GLOBAL ID：200903045556644720

強誘電体記憶素子

発明者： 緒方 信人 ,  奥藤 章 ,  宇田 啓一郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335336
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202138
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 強誘電体記憶素子で非破壊の読み出しを可能にする。【構成】 強誘電体キャパシタ1と常誘電体キャパシタ2とを直列に接続し、これらキャパシタの共通電極を記憶用のMOSFET3のゲート電極に接続し、常誘電体キャパシタ2の一方の電極をMOSFETのドレイン端子及びセル選択用スイッチングトランジスタのソース端子に接続する構成である。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜を絶縁膜の構成要素とする強誘電体キャパシタと、常誘電体薄膜を絶縁膜とする常誘電体キャパシタとが直列に接続され、前記強誘電体キャパシタと前記常誘電体キャパシタの共通電極が所定のしきい値で電流量を変化せしめて情報を記憶するトランジスタのゲート電極に接続され、前記常誘電体キャパシタの前記共通電極でないもう一方の電極を前記トランジスタのドレイン端子に接続したことを特徴とする強誘電体記憶素子。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-267177   出願人：株式会社日立製作所
• メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-041508   出願人：オリンパス光学工業株式会社