フォトマスクのドライエッチング方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：北村欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132195
公開番号（公開出願番号）：特開平6-347996
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】回転磁界を有するドライエッチング装置を用いて、高精度のフォトマスクを得ることの可能なエッチング方法を提供すること【構成】電磁石5、6、7、8による回転磁界を有するドライエッチング装置1のエッチング室2内のRF電極10面に、フォトマスク基板11を取付け、該電磁石の磁場強度を50〜150ガウス、該エッチング室内の反応ガス圧力を0.03〜0.3Torr、該電極のRF電力密度を0.20〜0.32W/cm2の条件で、反応性イオンエッチングにより該パターン材料をエッチングする【効果】プラズマの制御性が良く、選択比が向上し、磁場強度、反応ガス圧力、RF電力密度を上記値に設定することにより、フォトマスクのパターン材料にCDロスが小さく、面内均一性のよい高精度のエッチングを施せる

請求項（抜粋）：

反応ガス導入口と真空排気口及び2対の電磁石による回転磁界を有するドライエッチング装置のエッチング室内のRF電極面に、パターン材料で覆われ且つその上にパターンを形成したフォトレジストを設けたフォトマスク基板を取付け、該電磁石の磁場強度を50〜150ガウス、該エッチング室内の反応ガス圧力を0.03〜0.3Torr(4〜40Pa)、該電極のRF電力密度を0.20〜0.32W/cm2の条件で、反応性イオンエッチングにより該パターン材料をエッチングすることを特徴とするフォトマスクのドライエッチング方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-030424
特開平3-222415
特開平4-268727

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