半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松浦兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-341316
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162093
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は選択埋め込み成長を利用するリッジ型半導体レーザとその製造方法に関し、メサ脇での電流ブロック層の組成比ずれによるストレスを低減し、高信頼な半導体レーザとその製造方法に関する。【構成】半導体レーザは、クラッド層2がメサストライプ状に加工されたダブルへテロ構造と、そのクラッド層2のメサ側面及び底面を選択的に埋め込む電流ブロック層8を有する。電流ブロック層8を選択成長させるときに用いる原料ガスに微量のHClガスを混入することにより、選択マスク上での原料種の再蒸発を促進する。これにより、選択マスク端での組成比ずれを低減し、メサ側面での電流ブロック層の突起厚さが電流ブロック層の平坦部での厚さの10%以下とする。

請求項（抜粋）：

活性層と、該活性層を挟み込む第1及び第2のクラッド層と、該活性層に対して基板と反対側に形成された該第1のクラッド層のメサ側面及び底面を選択的に埋め込む電流ブロック層とを少なくとも有し、該第1のクラッド層がメサストライプ状に加工されたダブルへテロ構造とされた半導体レーザにおいて、該メサ側面での該電流ブロック層の突起厚さが該電流ブロック層の平坦部での厚さの10%以下であることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-180493
特開平3-204986
半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-243858 出願人：富士通株式会社

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