特許

J-GLOBAL ID：200903008535579772

高温超電導体ワイヤのためのアーキテクチャ

発明者： ティーメ,コルネリス,レオ,ハンズ ,  マロゼモフ,アレクシス,ピー. ,  ルピッチ,マーティン,ダブリュー. ,  スクープ,ウルス-デトレフ ,  トンプソン,エリオット,ディー. ,  ベレベリー,ダレン
出願人/特許権者： アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-524263
公開番号（公開出願番号）：特表2009-503794
出願日： 2006年07月28日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

積層されている超電導体ワイヤは、第1の基板の上にかぶさる第1の高温超電導体層を備える第1の超電導体インサートと、第2の基板の上にかぶさる第2の高温超電導体層を備える第2の超電導体インサートとを含む超電導体ワイヤアセンブリを含む。第1の及び第2の超電導体インサートはそのそれぞれの基板でともに接合される。導電性構造が、超電導体ワイヤアセンブリを実質的に取り囲む。

請求項（抜粋）：

超電導体ワイヤアセンブリであって、前記アセンブリは長さと幅を有し、第1の超電導体インサートと第2の超電導体インサートがそのそれぞれの基板でともに接合される、第1の基板の上にかぶさる第1の高温超電導体層を備える該第1の超電導体インサートと、第2の基板の上にかぶさる第2の高温超電導体層を備える該第2の超電導体インサートとを備える前記アセンブリと、 該超電導体ワイヤアセンブリを実質的に取り囲む導電性構造と、 を備える、積層超電導体ワイヤ。

IPC (2件)：

H01B 12/06 ,  H01B 13/00

FI (2件)：

H01B12/06 ,  H01B13/00 565D

Fターム (10件)：

5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321CA04 ,  5G321CA05 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA41 ,  5G321CA46 ,  5G321DB22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特許第6730410号
  
• カプセル化されたセラミック超電導体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-512646   出願人：アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション, ピレリー・カビ・エ・システミ・ソチエタ・ペル・アツィオーニ
• 特許第6784362号
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2001, V30 N5, P521