半導体製造用化学気相蒸着装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-317533
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012559
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】工程チューブ内に入れられるウェーハの位置に関係なく工程ガスが均一に噴射されて全体的に均一な工程が行われるようにすることにより、工程の安定化を図る半導体製造用化学気相蒸着装置を提供すること。【解決手段】本発明の半導体製造用化学気相蒸着装置は、多数枚のウェーハが入れられたチューブ内に不純物ガスを注入するためのノズルを備えた半導体製造用化学気相蒸着装置において、前記ノズルが複数個設置され、前記それぞれのノズルに複数個のガス噴射孔が形成され、前記複数個のガス噴射孔はチューブ内に入れられた多数個のウェーハ全体の長さに対して均等な間隔で配置されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

多数枚のウェーハが入ったチューブ内に不純物ガスを注入するためのノズルを備えた半導体製造用化学気相蒸着装置において、前記ノズルが複数個設置され、前記それぞれのノズルに複数個のガス噴射孔が形成され、前記複数個のガス噴射孔はチューブ内に入れられた多数個のウェーハ全体の長さに対して均等な間隔で配置されることを特徴とする半導体製造用化学気相蒸着装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-220434
特開昭61-071625
特開平2-001116

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