特許
J-GLOBAL ID：200903067087952188
半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133277
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349761
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 全ての半導体基板を均一に加工処理する半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置を提供する。【構成】 一端にガス導入口1Aを有し、他端を閉塞したノズル管1Bに設けられる多数のガス供給孔2を,一端のガス導入口1A側より他端に行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス供給孔又は孔間隔が狭くなるガス供給孔とすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一端にガス導入口(1A)を有し、他端を閉塞したノズル管(1B)に、多数のガス供給孔(2)を有する半導体製造装置用ガスノズルにおいて、多数のガス供給孔(2)を,一端のガス導入口(1A)側より他端へ行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス供給孔とすることを特徴とする半導体製造装置用ガス供給ノズル。
IPC (2件)：
H01L 21/223
, H01L 21/205
