特許
J-GLOBAL ID：200903008550084666
量子構造の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207725
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078769
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 近接して規則正しく配列した均一な大きさを有する高密度の量子構造を簡便に形成する。【構成】 Al基板ないしはAl層1を陽極酸化して多数の円柱状細孔3が規則的に配列形成された多孔質アルミナ2の形成工程と、円柱状細孔3を用いて、目的とする量子構造の構成材料4を規則的に配列形成した多数の均一な量子箱もしくは量子細線を形成する工程をとって、量子構造を形成する。
請求項（抜粋）：
Al基板ないしはAl層を陽極酸化して多数の円柱状細孔が規則的に配列形成された多孔質アルミナ基板ないしは多孔質アルミナ層の形成工程と、上記円柱状細孔を用いて、目的とする量子構造の構成材料を規則的に配列形成した多数の均一な量子箱もしくは量子細線を形成する工程とをとることを特徴とする量子構造の形成方法。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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