成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-345951
公開番号（公開出願番号）：特開2006-183145
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】アスペクト比が大きい凹部を持つ被処理体の表面に凝集性の高い金属を用いた場合であっても連続した薄膜を形成すること。【解決手段】基板を反応容器内に搬入、載置する工程と、反応容器内に第1の金属の化合物を含む原料ガスを供給して基板表面に当該第1の金属の化合物を吸着させる工程と、この第1の金属の化合物を還元性ガスを活性化させた還元用プラズマに接触させて第1の金属層を得る工程と、第1の金属とは異なる少なくとも表面部が第2の金属からなるターゲット電極にスパッタ用プラズマを接触させて叩き出した第2の金属を第1の金属層に注入して合金層を得る工程と、を含み、これらの吸着、還元、合金化の一連の工程を1回以上行う成膜方法を提供する。この方法により第一の金属の凝集力が強い場合でも基板における移動が抑制されて、連続した膜厚の小さい薄膜を形成できる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板を反応容器内に搬入して載置部に載置する工程と、次いで、前記反応容器内に第1の金属の化合物を含む原料ガスを供給して前記基板の表面に当該第1の金属の化合物を吸着させる吸着工程と、前記基板に吸着された第1の金属の化合物を、還元反応のためのエネルギーを当該化合物に供給しながら還元用ガスに接触させることにより還元して第1の金属層を得る還元工程と、前記基板に対向し、第1の金属とは異なる、少なくとも表面部が第2の金属からなるターゲット電極に、スパッタ用ガスを活性化して得たスパッタ用プラズマを接触させて叩き出された第2の金属を前記第1の金属層中に注入して第1の金属及び第2の金属の合金層を得る合金化工程と、を含み、前記吸着工程、還元工程及び合金化工程からなる一連のサイクルを1回以上行うことを特徴とする成膜方法。

IPC (6件)：

C23C 14/14 , C23C 14/34 , C23C 14/02 , H01L 21/285 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (5件)：

C23C14/14 Z , C23C14/34 S , C23C14/02 Z , H01L21/285 S , H01L21/88 R

Fターム (36件)：

4K029AA06 , 4K029BA25 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC35 , 4K029FA01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104DD43 , 4M104DD78 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ33 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33

引用特許：

審査官引用 (1件)

非晶質シリコン合金膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-063761 出願人：三洋電機株式会社

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