特許
J-GLOBAL ID：200903008562465150
電子放出素子及び電子源及び画像形成装置及び電子放出素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
世良 和信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047892
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251625
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 電子放出素子の電子放出効率を高める。【解決手段】 堆積物21,22(炭素を有する膜)の導電率が、間隙部8に向かって高くなることを特徴とする電子放出素子。
請求項（抜粋）：
基体表面上に配した一対の電極と、前記一対の電極とそれぞれ接続すると共に、第一の間隙部により隔てられた一対の炭素を有する膜とを有し、前記炭素を有する膜の導電率が、前記第一の間隙部に向かって高くなることを特徴とする電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 E
, H01J 9/02 E
