特許
J-GLOBAL ID：200903008562788138
太陽電池およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
西教 圭一郎
, 杉山 毅至
, 廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-329000
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134655
出願日： 2005年11月14日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】 半導体基板の一方の面に第1導電型の第1ドーピング領域と第2導電型の第2ドーピング領域とが形成される太陽電池において、リーク電流の発生による変換効率の低下を防止し、生産性良くかつ低コストで太陽電池を製造する。【解決手段】 面20aに凸部29と凹所26とを有しかつ他方の面である受光面20bが粗面化された半導体基板20と、p型層22と、n型層28と、シリコン窒化膜32a,32bと、電極34a,34bとを含む太陽電池35であって、p型層22を凸部29の頂部に形成し、かつn型層28を凹所26の底面26aの一部から半導体基板20の厚み方向の中心に向けて形成することにより、p型層22とn型層28との接触がない構造にする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の凸部と凹所とを有する面に第1導電型の第1ドーピング領域と第2導電型の第2ドーピング領域とが形成された太陽電池であって、
凸部の頂部全面に、第1導電型の第1ドーピング領域および第2導電型の第2ドーピング領域のいずれか一方のドーピング領域が形成され、
凹所の底部の少なくとも一部にもう一方のドーピング領域が形成されることを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051BA14
, 5F051CB12
, 5F051CB20
, 5F051CB21
, 5F051CB27
, 5F051GA04
出願人引用 (1件)
-
太陽電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-081707
出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (3件)
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