特許
J-GLOBAL ID：200903070496026792
太陽電池および太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-121921
公開番号（公開出願番号）：特開2005-310830
出願日： 2004年04月16日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 太陽電池の裏面におけるキャリアの再結合損失を抑制することによって高い変換効率を有する太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板10の一面に形成されている、半導体基板10よりも不純物濃度が高い第1導電型の第1ドーピング領域13と、第1導電型とは逆の導電型である第2導電型の第2ドーピング領域12と、半導体基板10よりも不純物濃度が高く第1ドーピング領域13よりも不純物濃度が低い第1導電型の第3ドーピング領域20または半導体基板10よりも不純物濃度が高く第2ドーピング領域12よりも不純物濃度が低い第2導電型の第3ドーピング領域20のいずれか一方とを含む太陽電池とその製造方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の一面に形成されている、前記半導体基板よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第1ドーピング領域と、前記第1導電型とは逆の導電型である第2導電型の第2ドーピング領域と、前記半導体基板よりも不純物濃度が高く前記第1ドーピング領域よりも不純物濃度が低い前記第1導電型の第3ドーピング領域または前記半導体基板よりも不純物濃度が高く前記第2ドーピング領域よりも不純物濃度が低い前記第2導電型の第3ドーピング領域のいずれか一方と、を含む、太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F051AA02
, 5F051CB19
, 5F051CB20
, 5F051GA04
