特許
J-GLOBAL ID：200903008567087812
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-035792
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245294
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 マスク合わせずれによる溝間の相対的な位置ずれを防止することが可能な半導体装置の製造方法を得る。【構成】 各溝15、16、17を形成する箇所に深い方の溝15、16の開口幅W19が浅い方の溝17の開口幅W20より広く形成された各開口19、20を有する溝形成用マスク18を介してエッチングを行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の半導体層に深さの異なる少なくとも2つの溝を形成する半導体装置の製造方法において、上記溝を形成する箇所に深い方の上記溝の開口幅が浅い方の上記溝の開口幅より広く形成された開口を有するマスクを上記半導体層上に形成する工程と、上記マスクを介してエッチングを行い上記溝を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/76
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 21/302 J
, H01L 21/302 E
, H01L 21/76 L
, H01L 29/72
