特許
J-GLOBAL ID：200903008579374108
半導体チップの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-102632
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291683
出願日： 2000年04月04日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハの裏面に面焼けを生じることなく裏面研削ができると共に、ダイシングにおいて裏面チッピングが生じない半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハWの裏面研削工程の前に、表面に形成されたストリートに対応させて裏面に切削溝Mを形成する裏面切削溝形成工程を行う。この後、半導体ウェーハの裏面を研削装置で研削して所定の厚さにする。この時、裏面に僅かに食い込む程度に前記切削溝Mを残す。裏面研削工程後、切削装置の切削ブレードにより半導体ウェーハを表面のストリートに沿って切削することでチップの分割工程を行う。この分割工程において、切削ブレードによる切削溝の幅は前記切削溝Mの幅より狭くし、切削深さは切削溝Mの底に到達する程度とする。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの裏面を研削して半導体ウェーハを所定の厚さに仕上げる裏面研削工程と、半導体ウェーハの表面に形成されたストリートを切削してこの半導体ウェーハを半導体チップに分割する工程と、を少なくとも含む半導体チップの製造方法であって、前記裏面研削工程の前に、半導体ウェーハの裏面に切削溝を形成する裏面切削溝形成工程が含まれる半導体チップの製造方法。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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