特許

J-GLOBAL ID：200903008584930000

半導体装置

発明者： 柳澤 暁 ,  相田 聡 ,  上月 繁雄 ,  吉岡 裕典 ,  大村 一郎 ,  齋藤 渉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-217640
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041123
出願日： 2004年07月26日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】 終端部の面積を大きくすることなく半導体素子の耐圧を高く保つ。 【解決手段】 終端部には、トレンチ4がN-型エピタキシャル層2を貫通してN+型層1に達している。トレンチ4はシリカ粒子により充填される。トレンチ4の上方には、シリコン酸化膜5bが形成され、このシリコン酸化膜5bの上に、素子領域に形成された半導体素子の電極メタル6から延引されたフィールドプレート6aが形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される半導体層に半導体素子を形成してなる素子領域と、 この素子領域を囲うように前記半導体層に形成される終端部とを備えた半導体装置において、 前記終端部は、 前記半導体層に形成されるトレンチと、 前記トレンチの内部に充填される絶縁物とを備え、 前記素子領域に形成された前記半導体素子の電極から前記トレンチの上方まで延伸されるフィールドプレートを備えている ことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06

FI (2件)：

H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652P

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電力用半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-186549   出願人：株式会社東芝