特許
J-GLOBAL ID：200903008591491403
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-128059
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312348
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板と同導電型のWellとの間を電気的に分離することが必要な素子を有する半導体装置において、半導体基板と前記半導体基板と同導電型Wellとの分離と、前記Well内に形成されるMOSFETの高性能化との両立を可能とし、半導体基板と逆導電型のWell内に形成されるMOSFETの微細設計も可能とする半導体装置を提供する。あわせて、前記半導体装置の製造方法を低コストで提供する。【解決手段】 半導体基板(101)と同導電型のWellを形成するための不純物イオン(120)と前記Wellを分離するための半導体基板と逆導電型のWellを形成するための不純物イオン(121)を注入する際、前記不純物イオンの加速度エネルギを制御することで、同導電型不純物イオン(120)を半導体基板(101)表面に注入し、逆導電型不純物イオン(121)を前記同導電型不純物イオン(120)より深く注入することで、同導電型のWell表面の不純物の総量を低減させた半導体装置とその製造方法。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に、第1導電型の第1のウエルと、前記第1のウエルの側面および底面を取り囲む第2導電型の第2のウエルを有する半導体装置において、前記第1のウエル内での第2導電型不純物濃度D1 と、前記第2のウエル内での第2導電型不純物濃度D2 との関係が、D1 <D2となることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/76
H01L 27/08 321 B
, H01L 21/76 M
