特許

J-GLOBAL ID：200903008597109187

半導体発光素子

発明者： 松岡 隆志 ,  岡本 浩
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-252837
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095724
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】InGaAlNなどの窒化物半導体材料を用いた半導体発光素子を、より特性が良くより製造しやすい状態で提供できるようにする。【解決手段】クラッド層104の上に、活性層105が形成されている。活性層105は、InNからなる複数の島状部分105aが同一平面に配列された構造の層であり、島状部分105aは、例えば、径が2nm程度高さ1nm程度の大きさに形成されている。このように、島状部分105aの寸法を電子の波動関数の広がり以下とすることで、量子効果が得られるようになる。また、この島状部分105aの寸法によって、活性層105による半導体発光素子の発光波長がほぼ決定される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1導電形の第1半導体層と、 この第1半導体層上の同一平面に配列された複数の島状部分よりなる層から構成された活性層を含む発光構造と、 この発光構造上に形成された第2導電形の第2半導体層と を少なくとも備え、 前記島状部分は、In1-X-YGaXAlYN(0≦X,Y≦1,0≦X+Y<1)から構成されたものである ことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01S5/323

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (29件)：

5F041AA41 ,  5F041AA47 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA47 ,  5F041CA65 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CB03 ,  5F041CB13 ,  5F041FF01 ,  5F073AA03 ,  5F073AA42 ,  5F073AA61 ,  5F073AA75 ,  5F073BA02 ,  5F073BA03 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA02 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-307944   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子および半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-073867   出願人：株式会社東芝