特許

J-GLOBAL ID：200903008615277890

半導体装置の製造方法

発明者： 善家 昌伸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076088
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266290
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】耐圧不良等の不都合の発生を抑制して容量の誘電体膜を薄膜化することが可能の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】下部電極3の表面上及び絶縁膜2の表面上にシリコン膜4を形成する工程と、窒素またはアンモニアを含む雰囲気中で熱処理を行いシリコン膜を窒化して窒化シリコン膜5にする工程と、しかる後、気相成長法で窒化シリコン膜6を形成する工程とを有して誘電体膜を得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下部電極と誘電体膜と上部電極とを備える容量部を有する半導体装置の製造方法において、前記下部電極の表面上及び前記下部電極に隣接する絶縁膜の表面上にシリコン膜を形成する工程と、窒素またはアンモニアを含む雰囲気中で熱処理を行い前記シリコン膜を窒化する工程と、しかる後、気相成長法で窒化シリコン膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-301628   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平4-113621