半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-301628
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153917
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置におけるキャパシタ部の製法に関するもので、キャパシタ絶縁膜である熱窒化膜が層間絶縁膜との接点で薄膜化するという問題点を除去するため、層間絶縁膜の少なくとも上部に窒化膜を形成しておくことにより、前記薄膜化を防ぐことを目的とするものである。【構成】本発明は、半導体装置における前記キャパシタ絶縁膜7を形成する方法として、あらかじめ層間絶縁膜5の上に窒化膜5bを形成しておくか、あるいは、ストレージ電極の上に薄いポリシリコン膜を形成し、その全面に熱窒化膜7cを形成するようにして、キャパシタ絶縁膜7を形成するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体装置におけるキャパシタ部の形成方法として、(a)半導体基板上に形成した第1の絶縁膜の上に、第1の耐酸化性膜を形成し、その上にキャパシタ部のストレージ電極を所定形状に形成する工程と、(b)前記キャパシタ部のストレージ電極上および該ストレージ電極端部に続く前記第1の耐酸化性膜上に、キャパシタ絶縁膜の最下層となる第2の耐酸化性膜を形成し、その上に第3の耐酸化性膜、その上に第2の絶縁膜を形成してキャパシタ絶縁膜としての積層膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平4-348069
特開平4-274360
特開平4-088665

全件表示

前のページに戻る