特許
J-GLOBAL ID：200903008622778439
半導体装置の製造方法、及びその製造装置、並びに電気光学装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-213932
公開番号（公開出願番号）：特開2006-040915
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】大型基板のエッジ部のフォトレジスト膜や薄膜の剥離を防止する。 【解決手段】レチクル50に形成された回路パターン51a〜51dを、半導体装置を複数枚取りする大型基板1上のレジスト膜に転写してパターンニングを行うに際し、大型基板1のエッジ部1a全周に、回路パターン51a〜51dが転写されない一定幅の非露光領域1bを、基板エッジブラインド41により形成する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
レチクルに形成された回路パターンを、複数の半導体装置を形成可能な大型基板上のレジスト膜に転写してパターンニングを行う半導体装置の製造方法において、
上記大型基板のエッジ部において、上記回路パターンが転写されないように、所定幅の領域を露光させないようにする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 515D
, G03F7/20 521
5F046BA03
, 5F046CB05
, 5F046CB24
, 5F046CB26
, 5F046CC01
, 5F046DA01
