金属膜の研磨方法及びその研磨装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123940
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312981
出願日： 1997年05月14日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハーの外周端縁に付着した余分な金属膜を効率よく除去する。【解決手段】半導体ウェハー1を酸化性溶液中に浸漬し、酸化性溶液のエッチング効果を利用して半導体ウェハー1の外周端縁に付着した余分なW膜11を、ウェハー表面側のW膜を研磨する前に予め除去する。

請求項（抜粋）：

金属膜研磨前に、余分な金属膜が付着したウェハを少なくとも1種類以上の酸化性溶液に一定時間浸漬し、該酸化性溶液を用いて前記余分な金属膜をエッチングして除去することを特徴とする金属膜の研磨方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/304 321 B , H01L 21/306 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

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