特許

J-GLOBAL ID：200903008658874400

IGBT

発明者： 馬場 浩佐
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-096434
公開番号（公開出願番号）：特開2008-258262
出願日： 2007年04月02日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：

【課題】オン電圧が低いとともに耐圧が高いIGBTを提供することを目的とする。【解決手段】本発明のIGBTは、第1導電型のコレクタ領域と、コレクタ領域上に積層された第2導電型のドリフト領域と、ドリフト領域によってコレクタ領域から分離されている第1導電型のボディ領域と、ボディ領域によってドリフト領域から分離されている第2導電型のエミッタ領域と、エミッタ領域とドリフト領域とを分離しているボディ領域と絶縁膜を介して対向しているゲート電極とを備えている。ドリフト領域は、不純物濃度が低く、ボディ領域と接する第1低濃度領域と、不純物濃度が高く、第1低濃度領域と接するとともに第1低濃度領域によってボディ領域から分離されており、半導体基板の平面方向に層状に広がる高濃度領域と、不純物濃度が低く、高濃度領域と接するとともに高濃度領域をコレクタ領域から分離している第2低濃度領域を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

IGBTであって、 第1導電型のコレクタ領域と、 コレクタ領域上に積層されている第2導電型のドリフト領域と、 ドリフト領域によってコレクタ領域から分離されている第1導電型のボディ領域と、 ボディ領域によってドリフト領域から分離されている第2導電型のエミッタ領域と、 エミッタ領域とドリフト領域を分離している範囲のボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極と、 を備えており、 前記ドリフト領域は、 ボディ領域に接するとともに、不純物濃度が低い第1低濃度領域と、 第1低濃度領域に接しており、第1低濃度領域によってボディ領域から分離されており、半導体基板の表面と平行な方向に層状に広がっているとともに、不純物濃度が高い高濃度領域と、 高濃度領域に接しており、高濃度領域をコレクタ領域から分離しているとともに、不純物濃度が低い第2低濃度領域と、 を有することを特徴とするIGBT。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/739

FI (3件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652B

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-072032   出願人：株式会社東芝