特許
J-GLOBAL ID：200903008662856831

半導体装置の実装方法及び半導体装置の実装体

発明者：
別所 芳宏

別所 芳宏 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-112548
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321162
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置を回路基板に生産性良くかつ信頼性高く接続することのできる半導体装置の実装方法と半導体装置の実装体を提供する。【構成】 回路基板4の所定部位に、熱可塑性の樹脂硬化型導電性材料からなる接続電極6を形成しておき、半導体装置1を熱圧着ツール7で吸引,保持しながら、半導体装置1の突出接点3と回路基板4の接続電極4とを接触させて、熱圧着を行う。【効果】 冷却で速やかに硬化する熱可塑性の樹脂硬化型導電性材料を使用するため、生産性が向上する。また、比較的低温で熱圧着による接合を行うため、半導体装置と回路基板の熱膨張係数の差に起因する熱応力も小さく信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体装置をフェースダウンで回路基板に実装する半導体装置の実装方法において、半導体装置の端子電極に突出接点を形成する工程と、熱可塑性の樹脂硬化型導電性材料を用いて、上記回路基板に半導体装置実装用の接続電極を形成する工程と、上記半導体装置の突出接点を上記回路基板の接続電極に熱圧着して半導体装置と回路基板とを接合する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (3件)：
H01L 21/603 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311
引用特許：
審査官引用 (2件)

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