特許
J-GLOBAL ID：200903008665762145
光電変換装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-047024
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251611
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 基板を始めとする原材料が安価であること、製造プロセスに長時間を要しないこと、製造プロセスに高温度を要しないこと、素子の変換効率が高いこと、という低コスト化の要件を同時に満足する薄膜結晶シリコン太陽電池は、現在までのところ知られていない。【解決手段】 基板1上に、シリコンとの共融温度が850°C以下の金属元素を含む(111)面配向の多結晶シリコン層2、半導体層3、4、および反射防止膜層6を順次積層して設け、光照射により前記半導体層3、4に生じた起電力を、前記基板1または前記多結晶シリコン層2と、前記半導体層4または前記反射防止膜層6の上面とから取り出すようにした光電変換装置であって、上記多結晶シリコン層2の結晶方位の選択配向性がX線回折強度比で(1ll)面に対し他の面が0.l以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、シリコンとの共融温度が850°C以下の金属元素を含む(111)面配向の多結晶シリコン層、半導体層、および反射防止膜層を順次積層して設け、光照射により前記半導体層に生じた起電力を、前記基板または前記多結晶シリコン層と、前記半導体層または前記反射防止膜層の上面とから取り出すようにした光電変換装置において、前記多結晶シリコン層の結晶方位の選択配向性がX線回折強度比で(1ll)面に対し他の面が0.l以下であることを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/10 A
