特許
J-GLOBAL ID:200903008670591057

半導体ウェーハ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-236714
公開番号(公開出願番号):特開平6-084734
出願日: 1992年09月04日
公開日(公表日): 1994年03月25日
要約:
【要約】【目的】半導体ウェーハの認識に用いるレーザー印字によるウェーハ材の溶融飛散物による半導体装置の破壌防止、およびウェーハ裏面への印字の際の平面度悪化防止する。【構成】半導体ウェーハ2の裏面(半導体装置を形成しない面)にくぼみ1を形成し、その領域をレーザー印字領域とする。
請求項(抜粋):
半導体装置のパターンを形成しない面の一部の領域がくぼんでいることを特徴とする半導体ウェーハ。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭64-048685
  • 特開平3-183113
  • 半導体基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-019378   出願人:ソニー株式会社

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