特許

J-GLOBAL ID：200903008675441096

正方晶度の低い強誘電体薄膜

発明者： ラマムーアシー ラメッシュ
出願人/特許権者： テルコーディア テクノロジーズ インコーポレイテッド ,  ユニバーシティー オブ メリーランド
代理人 (1件)： 谷 義一 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571502
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525876
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】適度に高いLaまたはNb含量を有するPb1-xLaxZryTi1-yO3またはPb1-xNbxZryTi1-yO3からなる、特に結晶配向したエピタキシャル強誘電体セルに組み込まれた強誘電材料であって、応力効果を低減させるために、単位格子の正方晶度がより低くなるような、すなわち立方晶により近い強誘電材料。c/a定数の最も好ましい値は、約1.01である。yが20%であるとき、xの例示的な組成範囲は、Laで6〜20%、Nbで3〜15%である。これによって低下する分極電圧は、3.0V以下で動作する集積強誘電体メモリに調和する。

請求項（抜粋）：

第1の金属酸化物電極と、 前記第1の電極の上に形成され、ペロブスカイト型結晶構造を有し、Pb、Zr、Ti、Oおよび少なくとも1つの追加の希土類元素を含む強誘電体層と、 前記強誘電体層の上に形成された第2の電極と、 前記2枚の電極に接続された、給電、制御および前記強誘電体層上に蓄積された電荷の読出しのための回路であって、3V以下の最大直流電源電圧を有する回路とを備え、 前記強誘電体層は、十分な分率の前記少なくとも1つの希土類元素を含み、前記最大直流電源電圧で前記回路の動作を可能にすることを特徴とする強誘電体メモリセル。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/22 501

FI (3件)：

G11C 11/22 501 A ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 Z

Fターム (9件)：

5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 二酸化硅素上に成長するc軸ペロブスカイト薄膜
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平6-514148   出願人：ベルコミュニケーションズリサーチインコーポレーテッド