特許

J-GLOBAL ID：200903008689991528

薄膜形成方法

発明者： 片桐 智治 ,  山本 浩 ,  近藤 英一 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-057254
公開番号（公開出願番号）：特開平6-272041
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月27日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、CVD法により膜質のよいAl-Cu合金膜を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係る金属薄膜の形成方法は、原料ガスと、水素ガスとを反応容器内に供給し、水素ガス雰囲気中で化学気相成長法によってAl合金膜を形成する薄膜形成方法において、原料ガスとしては、付加生成物が付加された水素化アルミニウムのガスと、酸素及びハロゲンを含まない有機金属化合物のガスとを用いることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

原料ガスと、水素ガスとを反応容器内に供給し、水素ガス雰囲気中で化学気相成長法によってAl合金膜を形成する薄膜形成方法において、前記原料ガスとしては、付加生成物が付加された水素化アルミニウムのガスと、酸素及びハロゲンを含まない有機金属化合物のガスとを用いることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-128853
  
• 記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-294727   出願人：株式会社リコー
• 特開平1-301339