特許
J-GLOBAL ID：200903008697817383

窒化物半導体発光素子

発明者：
園部 雅之

園部 雅之 について

, 
伊藤 範和

伊藤 範和 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-344170
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150076
出願日： 2005年11月29日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】 膜質を良好に維持しながらピットを確実に発生させたピット形成層を活性層の下層に設けることにより、リーク電流や非発光再結合中心を抑制して内部量子効率を向上させ、発光特性を向上させた窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1上に、少なくとも発光部が形成される活性層5を含む窒化物半導体積層部とを有し、活性層5の基板1側に、窒化物半導体の超格子層により形成され、基板1側の窒化物半導体層で発生する貫通転位の端部にピットを発生させるピット形成層4が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に設けられ、少なくとも発光部が形成される活性層を含む窒化物半導体積層部とを有し、前記活性層の前記基板側に、窒化物半導体の超格子構造に形成され、前記基板側の窒化物半導体層で発生する貫通転位の端部にピットを発生させるピット形成層が設けられてなる窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
Fターム (10件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AR24
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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