特許
J-GLOBAL ID：200903039438744265

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者：
木下 嘉将

木下 嘉将 について

, 
亀井 英徳

亀井 英徳 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-079873
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268581
出願日： 2004年03月19日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】基板に窒化ガリウム系化合物半導体を用いた場合、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面をフラットにするための研磨を行うため、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面は物理的なダメージを受け、この上に形成した発光層から放射される光が不均一になるという課題を解決し、放射される光の均一性を向上させることを目的とする。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板11の上に、少なくともInを含む第一のn型層13と、発光層15とが設けられ、第一のn型層13は基板11と発光層15との間に形成されていることによって、放射される光の均一性を向上させることができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板と、 少なくともInを含む第一のn型層と、 発光層とを有しており、 前記第一のn型層は前記基板と前記発光層との間に形成されている、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (46件)：
4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  5F041AA05 ,  5F041AA40 ,  5F041BB25 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92 ,  5F041CB36 ,  5F173AF04 ,  5F173AG12 ,  5F173AG14 ,  5F173AG21 ,  5F173AH22 ,  5F173AP04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AQ02 ,  5F173AQ05 ,  5F173AQ10 ,  5F173AR84 ,  5F173AR99
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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