特許
J-GLOBAL ID：200903008701632458

パターニングされた半導体膜を形成する方法

発明者：
アマンドソン, カール

アマンドソン, カール について

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ドゥルザイック, ポール エス.

ドゥルザイック, ポール エス. について

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ワン, ジアンナ

ワン, ジアンナ について

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ダサラー, グレッグ

ダサラー, グレッグ について

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カズラス, ピーター

カズラス, ピーター について


出願人/特許権者：
イー-インク コーポレイション

イー-インク コーポレイション について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-520487
公開番号（公開出願番号）：特表2003-508924
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月04日
要約：
【要約】トランジスタ製造方法は、基板を提供する工程と、基板に隣接するゲート電極を提供する工程と、基板およびゲート電極に隣接するゲート誘電体を提供する工程と、ゲート誘電体に隣接するソース電極およびドレイン電極を提供する工程と、ソース電極とドレイン電極とゲート誘電体の一部とが露出されたままになるパターンで、ゲート誘電体に隣接するマスクを提供する工程と、ソース電極とドレイン電極とゲート誘電体の一部とマスクとに隣接して、有機半導体および複数の無機コロイド粒子の1つを含む半導体層を提供する工程を含む。
請求項（抜粋）：
基板(10)に隣接して配置される半導体膜(20)にパターンを形成するプロセスであって、該プロセスは、 印刷プロセスまたはスタンピングプロセスによって、該有機半導体膜(20)の選択された部分(21;21’)に隣接する破壊剤(100)を提供する工程であって、該破壊剤(100)は、該有機半導体膜(20)の該選択された部分(21;21’)の特性が該有機半導体膜(20)の残りの部分の特性と異なるように、該有機半導体膜(20)の該選択された部分(21;21’)の該特性を変化させ、該選択された部分の該特性は、該有機半導体膜(20)の厚さ全体にわたって実質的に変化される、工程によって特徴付けられる、プロセス。
IPC (4件)：
H01L 21/762 ,  G02F 1/167 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/00
FI (5件)：
G02F 1/167 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 621
Fターム (25件)：
5F032AA01 ,  5F032AA12 ,  5F032AC02 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA09 ,  5F032DA16 ,  5F032DA41 ,  5F032DA52 ,  5F032DA74 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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