特許
J-GLOBAL ID：200903008735938742

半導体装置

発明者：
新井 高雄

新井 高雄 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-150032
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345965
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、電流検出端子を備えた半導体装置において、オン抵抗比(カレントミラー比)のゲート電圧及びチャネル温度依存性を小さくし、電流検出精度を上げることを目的とする。【解決手段】 同一半導体基板内に、ドレイン端子を共用した第1半導体素子及び第2半導体素子を形成し、第1半導体素子のソースをソース端子、第2半導体素子のソースを電流検出用のミラー端子としてなる半導体装置において、該第2半導体素子のセルに形成されるソース拡散層を、隣接するセルのソース拡散層と互いに対向する部分にだけ形成している。または、第1半導体素子にソース拡散層の一部又は全部を形成しないセルを最外周セル以外のところに形成する。または、第2半導体素子のソースとミラー端子間に半導体からなる抵抗を接続する。
請求項（抜粋）：
半導体基板内に、ドレイン端子を共用した第1半導体素子及び第2半導体素子を形成し、第1半導体素子のソースをソース端子、第2半導体素子のソースを電流検出用のミラー端子としてなる半導体装置において、該第1半導体素子及び該第2半導体素子は、複数のセルで構成され、該第2半導体素子のセルに形成されるソース拡散層を、隣接するセルのソース拡散層と互いに対向する部分にだけ形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (7件)：
H01L 29/78 657 F ,  H01L 21/66 E ,  H01L 27/04 T ,  H01L 29/78 301 T ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 656 B
引用特許：
審査官引用 (3件)

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