特許

J-GLOBAL ID：200903046017503451

半導体装置

発明者： 桑原 正志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-109506
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298298
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】本発明は、トレンチゲートを有する電流検出機能付きのIGBTにおいて、素子の温度特性と耐圧特性とを両立でき、かつ、主電流と検出電流とのリニアリティーを改善できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、主電流セル領域24および電流検出セル領域25の端部に、その外側の側面にソース領域13が形成されていないトレンチゲート18をそれぞれ形成する。こうして、P型ベース領域12の間隔はそのままで、主電流セル領域24と電流検出セル領域25との対向するチャネル面の間隔を拡げることで、寄生抵抗の抵抗値を外部抵抗よりも十分に大きくする。また、電流検出セル領域25でのベース領域12の直下のキャリア分布が主電流セル領域24とほぼ同様になるようにして、両セル領域24,25における動作のアンバランスをなくす構成となっている。

請求項（抜粋）：

複数の主電流セルと少なくとも1つの電流検出セルとを同一基板上に配設してなる、トレンチゲート構造を有する縦型MOS構造の半導体装置において、隣接する前記電流検出セルの端部と前記主電流セルの端部とに、少なくとも外側面にチャネルが形成されないトレンチゲート電極を設けてなることを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/78 657 F ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 655 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-361571
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-181467   出願人：株式会社東芝