特許
J-GLOBAL ID：200903008746705340
階調マスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-326003
公開番号（公開出願番号）：特開2005-091855
出願日： 2003年09月18日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 本発明は、大型の表示装置や半導体デバイスの製造にハーフトーン露光に使用できる、寸法精度の高い階調マスクの製造方法を提供することを主目的とするものである。【解決手段】 少なくとも、透過率低減領域と、光透過領域と、透過率調整領域と、を有する透過率が3段階以上に段階的に変化する階調マスクの製造方法において、ブランクス上に第1レジスト膜と、前記第1レジスト膜上に第1レジスト膜とは感度が異なり、第1レジスト膜よりもパターンの開口部が形成され易い第2レジスト膜とを形成し、パターン露光、現像することによりレジストパターンを形成することを特徴とする階調マスクの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
少なくとも、透過率が実質的に0%である透過率低減領域と、透過率が実質的に100%である光透過領域と、透過率が0%と100%以外の所定の透過率を有する透過率調整領域と、を有する透過率が3段階以上に段階的に変化する階調マスクの製造方法において、
透明基板上に透過率調整膜、および透過率低減膜が順次積層されたブランクス上に第1レジスト膜を形成し、前記第1レジスト膜上に第1レジスト膜とは感度が異なり、第1レジスト膜よりもパターンの開口部が形成され易い第2レジスト膜を形成するレジスト形成工程と、
前記光透過領域は第1レジスト膜と第2レジスト膜とが除去される露光量で露光し、前記透過率調整領域は第1レジスト膜が残存し第2レジスト膜のみが除去される露光量で露光し、前記透過率低減領域は第1レジスト膜と第2レジスト膜とが残存する露光量で露光するパターン露光工程と、
現像処理を行うことにより、光透過領域の第1レジスト膜と第2レジスト膜とを除去して開口部とし、さらに、透過率調整領域の第1レジスト膜を残存させた状態で、第2レジスト膜を除去し、透過率低減領域の第1レジスト膜と第2レジスト膜とを残存させることにより、透過率調整領域と透過率低減領域とのレジスト膜が階段状の形状を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記開口部を通して、前記透過率低減膜と、前記透過率調整膜と、のエッチングを行う1次エッチング工程と、
前記透過率調整領域上の前記第1レジスト膜が除去されるまでレジストの薄膜化を行うレジスト薄膜化工程と、
前記レジストの薄膜化により露出した透過率低減膜のエッチングを行う2次エッチング工程と、
残存したレジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、を有することを特徴とする階調マスクの製造方法。
IPC (3件)：
G03F1/08
, G02B5/00
, H01L21/027
G03F1/08 A
, G02B5/00 A
, H01L21/30 502P
2H042AA08
, 2H042AA11
, 2H042AA25
, 2H095BA12
, 2H095BC02
, 2H095BC05
, 2H095BC11
, 2H096AA24
, 2H096AA25
, 2H096BA09
, 2H096CA05
, 2H096EA02
, 2H096HA23
, 2H096JA04
, 2H096KA03
, 2H096KA06
, 2H096KA19
, 2H096LA16
