微細パターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-067855
公開番号（公開出願番号）：特開平9-230606
出願日： 1995年06月19日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【目的】レジスト膜の表面に金属アルコキシドを供給してレジスト膜の露光部の表面に膜厚の厚い酸化膜を形成することができるようにして、レジストパターンの寸法精度を向上させる。【構成】 KrFエキシマレーザが照射されると酸を発生し、該酸により反応する化学増幅型レジストを用いて半導体基板10の上にレジスト膜11を形成する。マスク12を用いてKrFエキシマレーザ13を照射すると、レジスト膜11の露光部11aの表面において酸が発生し、この酸により露光部11aの表面は親水性に変化する。レジスト膜11の表面に水蒸気14を供給すると、露光部11aにおける表面から深い部位まで水が拡散する。相対湿度95%の空気中においてメチルトリエトキシシランの蒸気15をレジスト膜11の表面に吹き付けると、露光部11aの表面に膜厚の大きい酸化膜16が選択的に形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、エネルギービームが照射されると架橋する化合物を含むレジストを塗布してレジスト膜を形成する第1の工程と、前記レジスト膜にエネルギービームを照射して前記レジスト膜の露光部を架橋させる第2の工程と、前記レジスト膜の表面にシリル化剤を供給して、前記レジスト膜の非露光部にシリル化層を形成する第3の工程と、前記シリル化層に高エネルギービームを照射する第4の工程と、高エネルギービームを照射されたシリル化層をマスクとして前記レジスト膜に対してエッチングを行なってレジストパターンを形成する第5の工程とを備えていることを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/32 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/38 511 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/32 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/38 511 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 568 , H01L 21/30 569 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

乾式現像可能なフォトレジスト組成物およびその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-305898 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
フオトリソグラフイによる構造物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-353048 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開平2-275959

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