特許
J-GLOBAL ID：200903008751740863
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022161
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209364
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、半導体装置の薄型化及び放熱機能の向上の要求に対応することができる信頼性の高い半導体装置を低コストで提供することにある。【解決手段】 ポリイミドテープの一方面に導体回路パターン層、他面に導電プレーン層を設けた3層構造とし、第1の平坦面と第2の平坦面とを連接する傾斜面を有する円形皿状にディプレスされたキャビティを有し、前記第1の平坦面に形成され、前記キャビティ側に突出せしめられた導体回路パターンの内部接続パッドを有する集積回路素子搭載基板と、これに弾性接着剤層を介して固着された集積回路素子と、前記内部接続パッド領域と集積回路素子の電極パッドとをインナーリード・ボンディングにより接続せしめられ、さらに少なくとも前記集積回路素子の主面の反対面が樹脂封止部から露出せしめられた構成とすることで達成される。
請求項（抜粋）：
集積回路素子のボンディング・パッドと外部配線基板とを電気的に接続するインターポーザとして、ポリイミドテープ基板の一方の面に導体回路パターン層を、該ポリイミドテープ基板の他の面に導電プレーン層を設けた3層構造とし、さらに前記導体回路パターンと外部配線基板のパッドに接続して電気的導通回路を形成する外部接続端子を設けた集積回路素子搭載基板を構成部材とする半導体装置において、前記集積回路素子搭載基板は第1の平坦部と第2の平坦部とこれら連結する傾斜部とを有する円形皿状にディプレスされ、前記導体回路パターン層側に形成された集積回路素子搭載キャビティと前記第1の平坦部に形成され、前記キャビティ側に突出せしめた導体回路パターンの内部接続パッドの領域とを設けた構成とされており、前記集積回路素子搭載基板の前記キャビティ内に前記集積回路素子を弾性接着剤層を介して固着すると共に、前記内部接続パッドと集積回路素子の電極パッドとをインナーリード・ボンディングにより電気的に接続せしめられ、さらに少なくとも前記集積回路素子の主面の反対面が樹脂封止部から露出せしめられた構成としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L 23/50 S
, H01L 23/50 W
, H01L 23/50 Y
, H01L 23/12 L
, H01L 23/12 Q
