特許
J-GLOBAL ID：200903008754072756
スタック型半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-251495
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097943
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】 複数の半導体レーザ素子の重ね合わせ構造に工夫を加えることにより、各半導体レーザ素子のレーザ光によるビームパターン間の重なりをできる限り大きくするようにしたスタック型半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】 半導体レーザ素子20がそのN型電極27にてはんだ層28におり台座10の表面11に接合されている。半導体レーザ素子30が、そのN型電極36にて、半導体レーザ素子20と同一の出射面方向を有するようにそのP型電極26にはんだ層37を介して接合されている。
請求項（抜粋）：
N型基板(21)と、このN型基板の一側表面に形成された発光層(23)を含むエピタキシャル成長層(22乃至24)と、このエピタキシャル成長層上に形成されたP型電極(26)と、前記N型基板の他側表面に形成されたN型電極(27)とを有する第1半導体レーザ素子(20)と、P型基板(31)と、このP型基板の一側表面に形成された発光層(33)を含むエピタキシャル成長層(32乃至34)と、このエピタキシャル成長層上に形成されたN型電極(36)と、前記P型基板の他側表面に形成されたP型電極(38)とを有する第2半導体レーザ素子(30)とを、台座(10)上に積み重ねてなるスタック型半導体レーザにおいて、前記第1半導体レーザ素子がそのN型電極にてろう材金属層(28)を介して前記台座上に接合されており、また、前記第2半導体レーザ素子が、前記第1半導体レーザ素子と同一の出射面方向を有するように、前記第1半導体レーザ素子のP型電極と前記第2半導体レーザ素子のN型電極を、ろう材金属層(37)を介して接合してなることを特徴とするスタック型半導体レーザ。
引用特許：
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