特許
J-GLOBAL ID:200903008756182524

表示装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安富 耕二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-047565
公開番号(公開出願番号):特開平11-251069
出願日: 1998年02月27日
公開日(公表日): 1999年09月17日
要約:
【要約】【課題】 表示画素の開口率を向上させるとともに、EL素子を駆動するTFTのサイズや駆動能力の決定に自由度の増大が図れる表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に、薄膜トランジスタと、陽極18、薄膜トランジスタのソース10sと接続した陰極13を備えており薄膜トランジスタによって駆動されるEL素子と、を順に積層してなる表示画素を備え、EL素子の発光光を基板1側とは反対の方向から外部に放出させる。
請求項(抜粋):
基板上に、ソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、陰極、陽極及び該両電極の間に挟持された発光素子層から成り前記薄膜トランジスタによって駆動されるエレクトロルミネッセンス素子と、が順に積層されて成る表示画素を備え、前記エレクトロルミネッセンス素子の発光光が前記基板側とは反対の方向から外部に放出されることを特徴とする表示装置。
IPC (3件):
H05B 33/26 ,  G09F 9/30 ,  H05B 33/10
FI (3件):
H05B 33/26 A ,  G09F 9/30 B ,  H05B 33/10
引用特許:
審査官引用 (6件)
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