特許
J-GLOBAL ID：200903008808596802
酸化物半導体電極用積層体、酸化物半導体電極、色素増感型太陽電池、および色素増感型太陽電池モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-057770
公開番号（公開出願番号）：特開2009-217970
出願日： 2008年03月07日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：
【課題】本発明は、転写法により光路長の長い多孔質層を備える酸化物半導体電極を作製することが可能な、酸化物半導体電極用積層体およびこれを用いて作製される酸化物半導体電極等を提供する。【解決手段】耐熱基板1と、上記耐熱基板上に形成され、金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層2と、上記多孔質層上に形成され、金属酸化物からなる第1電極層3と、を有する酸化物半導体電極用積層体10であって、上記多孔質層の上記第1電極層側の表面に可視光を散乱できる程度の凹凸形状が形成。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
耐熱基板と、前記耐熱基板上に形成され、金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層と、前記多孔質層上に形成され、金属酸化物からなる第1電極層と、を有する酸化物半導体電極用積層体であって、
前記多孔質層の前記第1電極層側の表面に、可視光を散乱できる程度の凹凸形状が形成されていること特徴とする、酸化物半導体電極用積層体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051BA11
, 5F051CB13
, 5F051FA02
, 5F051FA04
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032BB05
, 5H032CC11
, 5H032EE02
, 5H032EE16
, 5H032EE17
, 5H032HH05
