特許

J-GLOBAL ID：200903008836901971

半導体装置

発明者： 河原 尊之 ,  宮本 直樹 ,  木村 勝高
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224992
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069014
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【目的】 低電源電圧で動作する安定な基準電圧を実現する。【構成】 バンドギャップジェネレータの電源電圧をチップ内部で昇圧したものを用い、バンドギャップジェネレータと電源との間にスイッチを設け、レベル記憶用の容量を設けてこれとバンドギャップジェネレータの出力との間もスイッチを設けてダイナミック動作を行う。【効果】 バンドギャップジェネレータを用いたので温度特性の優れた基準電圧を得ることができ、また、ダイナミック動作としたので消費電力が小さく、このために電流供給に限界のあるチャージポンプで発生した外部電源電圧よりも高い電圧動作できるとなる。

請求項（抜粋）：

第1の電位と第2の電位との間の動作電圧が入力され該動作電圧を昇圧する昇圧回路と、上記昇圧回路によって昇圧された昇圧電圧と上記第1の電位との間に設けられたバンドギャップ基準電圧発生回路と、上記第1の電位と上記昇圧電圧との間に上記バンドギャップ基準電圧発生回路に直列に設けられた第1のスイッチと、上記バンドギャップ基準電圧発生回路の出力端子にその一端が接続された第2のスイッチと、上記第2のスイッチの他端と上記第1の電位との間に接続されたコンデンサとを具備し、上記第1のスイッチがオン状態の間に上記第2のスイッチをオン状態とし、上記第2のスイッチをオフ状態とした後に上記第1のスイッチをオフ状態とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

G05F 3/30 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H02M 3/07

FI (4件)：

G05F 3/30 ,  H02M 3/07 ,  H01L 27/04 B ,  H01L 27/06 321 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電圧基準初期化回路及び集積回路デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-191577   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開昭56-124923