薄膜トランジスタ基板

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永井隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-366316
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168800
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】プラスチックフィルムの基板上に薄膜トランジスタを形成することが求められているが、通常の成膜プロセスでは温度が高く、従来用いられている透明なプラスチックフィルムでは耐熱性が不充分であり使用できない。また、低温の成膜プロセスも提案されているが、特殊な技術であり高コストになる。【課題を解決するための手段】透明性および耐熱性に優れるポリイミドのフィルムからなる基板上に、通常の成膜プロセスを施す事により、薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板を得る。

請求項（抜粋）：

下記の一般式Iで示される繰り返し単位を有するポリイミドのフィルムからなる基板上に薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板。【化1】(式中、Rは炭素数4〜39の4価の脂肪族基であり、Φは炭素数1〜39の2価の脂肪族基または芳香族基である)

IPC (5件)：

H01L 29/786 , C08G 73/10 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 310

FI (5件)：

C08G 73/10 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 310 , H01L 29/78 626 C

Fターム (48件)：

2H090JB03 , 2H090JB05 , 2H090JD01 , 2H090LA01 , 2H090LA04 , 2H092JA24 , 2H092KA05 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 4J043PA02 , 4J043QB14 , 4J043QB26 , 4J043QB31 , 4J043RA34 , 4J043SA06 , 4J043TA14 , 4J043TA22 , 4J043UA042 , 4J043UA111 , 4J043ZB50 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094EB10 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG45 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP03

引用特許：

審査官引用 (3件)

ポリイミド系樹脂及びこれを用いた光学用素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-230634 出願人：日立化成工業株式会社
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-313816 出願人：シャープ株式会社
特開平1-236654

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