ドライエッチング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-113221
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294848
出願日： 2005年04月11日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】第1の電極膜と強誘電体膜あるいは高誘電率膜と第2の電極膜とからなる積層構造体のドライエッチング方法において、反応生成物の付着・堆積のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】第1、第2の電極膜である貴金属をエッチングする場合にはArガスの流量比率を多くしてスパッタエッチング効果を強めると共に、バイアス電源の周波数を低周波にしてイオンの入射をより強くし、低ガス圧にし、強誘電体膜、高誘電率膜はCF4ガスの流量比率を多くして反応性を促進させることにより反応エッチング効果を強め、低ガス圧化、エッチングガス大流量化により反応生成物の付着・堆積を防止する方法とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の表面に貴金属を含む膜の第1の電極膜を有し、さらにその上に強誘電体膜を有し、さらにその上に貴金属を含む膜の第2の電極膜を有する積層構造体の被エッチング体のドライエッチング方法において、第2の電極膜をエッチングする工程と、強誘電体膜または高誘電率膜をエッチングする工程と、第1の電極膜をエッチングする工程とで、エッチングプロセス条件を順次変更して各層で異なるプロセス条件でエッチングするようにしたドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , C23F 4/00 , H01L 41/22 , H01L 41/187

FI (5件)：

H01L21/302 105A , C23F4/00 A , H01L41/22 Z , H01L41/18 101B , H01L21/302 104Z

Fターム (17件)：

4K057DB01 , 4K057DB15 , 4K057DB20 , 4K057DD03 , 4K057DE06 , 4K057DE08 , 4K057DE14 , 4K057DG06 , 4K057DM05 , 4K057DN01 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004DA01 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DB08 , 5F004DB13

引用特許：

出願人引用 (4件)

特許第2503662号公報
特開平04-273435号公報
特開平04-323822号公報

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