半導体メモリ回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-200642
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050080
出願日： 1996年07月30日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】消費電力を増大させることなく読出し速度を速くする。【解決手段】選択されたディジット線(例えばDL0)と対応する選択されたメモリセル列MCCの一端に電源電位Vccレベルを供給する電源供給回路60を設ける。センス増幅器30への信号入力のセンス入力信号線SILをディジット線,メモリセル列と分離し、このセンス入力信号線SILを所定のタイミングで所定のレベルにプリチャージするセンス入力信号線プリチャージ回路50を設ける。選択されたメモリセル列の他端の共通接続端MCSに現われた選択されたメモリセルによる信号のレベルをセンス入力信号線SILに伝達するセンス入力制御回路70を設ける。

請求項（抜粋）：

対応するワード線が選択レベルのとき選択されてオン状態,オフ状態のうちの一方の状態となるメモリセルと、このメモリセルの一端に所定の電位を供給する電源供給回路と、センス入力信号線に伝達された前記選択されたメモリセルからの信号のレベルを判別,増幅するセンス増幅器と、一端に前記電位を受けて前記選択されたメモリセルのオン状態,オフ状態に応じて前記メモリセルの他端に現われた信号のレベルを前記センス入力信号線に伝達するセンス入力制御回路とを有することを特徴とする半導体メモリ回路。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-070342 出願人：日本電装株式会社

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