特許
J-GLOBAL ID：200903008859153328

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者：
竹内 博明

竹内 博明 について

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奥田 徹

奥田 徹 について

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森 勇▲蔵▼

森 勇▲蔵▼ について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について

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森 勇藏

森 勇藏 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-071347
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007092
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ処理を施すべき幅が狭い場合であってもプラズマ処理用電極と基板との間にプラズマ処理用ガスを安定して供給することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置100は、基板2が搭載される試料台4と、基板2と対向して配置されるプラズマ処理用電極1と、プラズマ処理用電極1に高周波電圧を印加する高周波電源3と、少なくとも基板2の第1表面2aにプラズマ処理用ガスを供給するガス供給手段とを備え、高周波電源3からプラズマ処理用電極1に高周波電圧を印加してプラズマ処理用ガスに基づくプラズマを発生させ、プラズマを該基板2の第1表面2aに作用させることにより基板2をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、試料台4は、試料台4に対してプラズマ処理用電極1側の第2表面上の第1領域に形成される第1導電体41を有し、第1領域は、プラズマ処理装置100により基板2に施されるべきプラズマ処理によるパターン形状に対応する領域を含む。
請求項（抜粋）：
基板が搭載される試料台と、該基板と対向して配置されるプラズマ処理用電極と、該プラズマ処理用電極と該試料台との間に高周波電圧を印加する高周波電源と、少なくとも該基板の第1表面にプラズマ処理用ガスを供給するガス供給手段とを備え、該高周波電源から該プラズマ処理用電極と該試料台の間に該高周波電圧を印加して該プラズマ処理用ガスに基づくプラズマを発生させ、該プラズマを該基板の該第1表面に作用させることにより該基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、該試料台は、該基板に対して該プラズマ処理を施すべきパターン形状に対応する第1領域に形成される第1導電体を有するプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/509 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/24
FI (5件)：
H01L 21/302 B ,  C23C 16/509 ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/24
Fターム (47件)：
4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA02 ,  4K030KA16 ,  4K057DA02 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DB17 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DM06 ,  4K057DM13 ,  4K057DM16 ,  4K057DM28 ,  4K057DM35 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004AA03 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB17 ,  5F004BD04 ,  5F004CA05 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DB01 ,  5F004EB00 ,  5F004EB04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DB09 ,  5F045EH04 ,  5F045EH10 ,  5F045EH20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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