特許
J-GLOBAL ID：200903056464947346
半導体素子の製造方法および製造装置、および平坦化工程用プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058131
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256233
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 レジストエッチバック法を用いずに、ドライエッチング工程のみによって絶縁膜表面の平坦化を行うことのできる半導体素子の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】 高密度のガス雰囲気中で、高周波電界によってプラズマを発生させることにより絶縁膜と化学反応するラジカルを生成する工程と、基板表面に平行なガス流によってラジカルを移送し、そのことにより絶縁膜の凸部へラジカルを選択的に供給する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された段差部を覆うように形成された絶縁膜を平坦化する工程を有する半導体素子の製造方法であって、該絶縁膜を平坦化する工程は、高密度のガス雰囲気中で、高周波電界によってプラズマを発生させることにより該絶縁膜と化学反応するラジカルを生成する工程と、該基板表面に平行なガス流によって該ラジカルを移送し、そのことにより該絶縁膜の凸部へ該ラジカルを選択的に供給する工程と、を含む、半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/3205
H01L 21/302 L
, H01L 21/88 K
