特許
J-GLOBAL ID：200903008869762020
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315507
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144890
出願日： 1996年11月12日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 動作が高速で且つ微細化も可能であり、製造歩留りも高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 素子分離絶縁膜としてのSiO2 膜22が縞状であり、トランジスタ29のソース領域28sを露出させる溝32が層間絶縁膜に設けられており、溝32がタングステン34で埋められている。このため、共通ソース線の抵抗が低く、共通ソース線に対する分路が不要で分路用のコンタクト孔を設ける専用の領域も不要である。また、SiO2 膜22に丸い角部が存在しておらず、位置ずれによるトランジスタ29の特性のばらつきが少ない。
請求項（抜粋）：
メモリセルを形成しているトランジスタの制御ゲートが容量結合絶縁膜を介して浮遊ゲート上に積層されている不揮発性半導体記憶装置において、縞状の素子分離絶縁膜が半導体基板の表面に設けられており、前記トランジスタのソース領域を露出させると共に前記素子分離絶縁膜と交わる方向へ延びる溝が前記半導体基板上の層間絶縁膜に設けられており、前記溝が金属配線で埋められていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 27/115
, H01L 21/768
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 21/90 C
, H01L 29/78 371
