特許
J-GLOBAL ID：200903008870564860
半導体装置のコンタクト形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-095351
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330245
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 コンタクトホールの直径を縮める半導体装置のコンタクト形成方法を提供する。【解決手段】 本発明は、第1物質層及び第2物質層が順次に形成され、第2物質層上に第1オープニングを有するフォトレジスト膜パターンが形成される。フォトレジスト膜パターンをマスクとして第1物質層が露出される時まで第2物質層がエッチングされる。エッチングされた第2物質層の両側壁にポリマーが形成されることにより、相対的に小さい直径の第2オープニングが形成される。ポリマー及びフォトレジスト膜パターンをマスクとして第1物質層が斜めにエッチングされ第3オープニングが形成される。第1物質層及びフォトレジスト膜パターンをマスクとして半導体基板の一部が露出される時まで層間絶縁膜が垂直にエッチングされて第4オープニングが形成されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層上に絶縁層とエッチング選択比を有する第1物質層及び第2物質層を順次に形成する段階と、前記第2物質層上に第1オープニングを有するフォトレジスト膜パターンを形成する段階と、前記フォトレジスト膜パターンをマスクとして使用して前記第1物質層が露出される時まで第2物質層をエッチングし、エッチングされた第2物質層の両側壁にポリマーを形成させて、これにより、前記第1オープニングより相対的に小さい直径を有する第2オープニングを形成する段階と、前記ポリマー及びフォトレジスト膜パターンをマスクとして使用して前記第1物質層を異方性エッチング工程で斜めにエッチングして第3オープニングを形成し、その下部が前記第2オープニングより相対的に小さい直径を有するように形成する段階と、前記第1物質層及びフォトレジスト膜パターンをマスクとして使用して前記半導体基板の一部が露出される時まで前記絶縁層を異方性エッチング工程で垂直にエッチングして第4オープニングを形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のコンタクト形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 L
