特許

J-GLOBAL ID：200903008892297696

窒化ガリウム結晶の製造方法

発明者： 中園 隆一 ,  坂口 春典 ,  海野 恒弘 ,  隈 彰二
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-191492
公開番号（公開出願番号）：特開平9-040490
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：

【要約】【課題】成長プロセス終了後にアニールしなくてもp型不純物の活性化を可能とする。【解決手段】水素ガス雰囲気化でNH3 とTMAまたはTMGによりサファイア基板上にAlNまたはGaNのバッファ層を設け、その上にNH3 とTMGによりpn接合をもつGaNのエピタキシャル成長を行なう。pn接合を形成するためのドープ不純物には、n型としてはSiH4 を、p型にはCp2 Mgを用いる。GaN結晶の成膜を水素ガス雰囲気で行なった後の冷却過程で、1000°C以下の温度域における雰囲気に窒素ガスのみか、あるいは窒素ガスの割合が70%〜100%未満の窒素ガスと水素ガスの混合ガスを使用する。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム結晶の原料となる有機金属及びアンモニアを用いた気相成長法によってpn接合をもつ窒化ガリウム結晶を製造する方法おいて、窒化ガリウムの成膜を水素ガス雰囲気において行なった後の冷却過程の内、1000°C以下の温度域における雰囲気として窒素ガスのみを使用することを特徴とする窒化ガリウム結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 25/14 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 25/14 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 3族窒化物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-286048   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-066110   出願人：松下電器産業株式会社