特許
J-GLOBAL ID：200903058761142937

窒化ガリウム系半導体の製造方法

発明者：
石橋 明彦

石橋 明彦 について

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萬濃 正也

萬濃 正也 について

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大仲 清司

大仲 清司 について

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武石 英見

武石 英見 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066110
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264899
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 高品質なGaN単結晶層の気相成長方法を提供する。【構成】 有機金属気相成長(MOVPE)法によりサファイア基板1上にGaNバッファ層2をトリメチルガリウム(TMG)とアンモニアを水素をキャリアガスとして供給して600°Cで堆積する。次にTMGの供給を停止し、アンモニアと水素の混合雰囲気で1030°Cのに昇温した後、さらにトリエチルガリウム(TEG)を加えてGaN単結晶層3を堆積する。このように原料ガスの切り替えにより、広い温度域に亘り平坦でかつ残留不純物の少ないGaNバッファ層が堆積でき、容易に平坦なGaN単結晶層が堆積できるうえ、GaN単結晶層の成長そのものにおいても炭素等の不純物の混入を抑制できかつC軸配向性に優れた高い結晶性のGaN単結晶が得られる。
請求項（抜粋）：
トリメチルガリウムを用いてGaN堆積層を堆積する工程と、前記GaN堆積層上にトリエチルガリウムを用いて前記堆積温度以上でGaN単結晶層を堆積する工程とを有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (12件)
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